Low temperature (≦600°C) unhydrogenated in-situ doped polysilicon thin film transistors: Towards a technology for flat panel displays - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 1997

Low temperature (≦600°C) unhydrogenated in-situ doped polysilicon thin film transistors: Towards a technology for flat panel displays

F. Raoult
  • Fonction : Auteur
K. Mourgues
  • Fonction : Auteur
K. Kis-Sion
  • Fonction : Auteur
T. Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
O. Bonnaud
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662125 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

L. Pichon, F. Raoult, K. Mourgues, K. Kis-Sion, T. Mohammed-Brahim, et al.. Low temperature (≦600°C) unhydrogenated in-situ doped polysilicon thin film transistors: Towards a technology for flat panel displays. Thin Solid Films, 1997, 296 (1-2), pp.133-136. ⟨10.1016/S0040-6090(96)09373-X⟩. ⟨hal-03662125⟩
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