Article Dans Une Revue
Thin Solid Films
Année : 1997
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662125
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:49:06
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-13:30:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03662125 , version 1
- DOI : 10.1016/S0040-6090(96)09373-X
Citer
L. Pichon, F. Raoult, K. Mourgues, K. Kis-Sion, T. Mohammed-Brahim, et al.. Low temperature (≦600°C) unhydrogenated in-situ doped polysilicon thin film transistors: Towards a technology for flat panel displays. Thin Solid Films, 1997, 296 (1-2), pp.133-136. ⟨10.1016/S0040-6090(96)09373-X⟩. ⟨hal-03662125⟩
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