Characterisation of in-situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00085684 , version 1 (13-07-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00085684 , version 1

Citer

L. Mahdjoubi, Tayeb Mohammed-Brahim, France Le Bihan. Characterisation of in-situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes. E-MRS (European Materials Research Society), 2002, Strasbourg, France. ⟨hal-00085684⟩
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