Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 1998
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Dates et versions

hal-02370177 , version 1 (19-11-2019)

Identifiants

Citer

H. Folliot, S. Loualiche, B. Lambert, V. Drouot, A. Le Corre. Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 1998, 58 (16), pp.10700-10704. ⟨10.1103/PhysRevB.58.10700⟩. ⟨hal-02370177⟩
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