Modélisation et Simulation de TFTs en Silicium Polycristallin pour la Réalisation d'un Capteur de Position en Technologie Basse Température - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Modélisation et Simulation de TFTs en Silicium Polycristallin pour la Réalisation d'un Capteur de Position en Technologie Basse Température

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00173811 , version 1 (20-09-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00173811 , version 1

Citer

Emmanuel Jacques, France Le Bihan, Samuel Crand, Tayeb Mohammed-Brahim. Modélisation et Simulation de TFTs en Silicium Polycristallin pour la Réalisation d'un Capteur de Position en Technologie Basse Température. 10éme Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM), May 2007, France. p. 67. ⟨hal-00173811⟩
64 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More