State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 1999

State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs

B. Tala-Ighil
  • Fonction : Auteur
A. Rahal
  • Fonction : Auteur
K. Mourgues
  • Fonction : Auteur
A. Toutah
  • Fonction : Auteur
T. Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
F. Raoult
  • Fonction : Auteur
O. Bonnaud
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03662132 , version 1 (09-05-2022)

Identifiants

Citer

B. Tala-Ighil, A. Rahal, K. Mourgues, A. Toutah, L. Pichon, et al.. State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs. Thin Solid Films, 1999, 337 (1-2), pp.101-104. ⟨10.1016/S0040-6090(98)01192-4⟩. ⟨hal-03662132⟩
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