Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 1998
Laurent Pichon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03662130
Soumis le : lundi 9 mai 2022-09:50:59
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03662130 , version 1
- DOI : 10.1016/S0026-2714(98)00098-5
Citer
B. Tala-Ighil, H. Toutah, A. Rahal, K. Mourgues, L. Pichon, et al.. Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors. Microelectronics Reliability, 1998, 38 (6-8), pp.1149-1153. ⟨10.1016/S0026-2714(98)00098-5⟩. ⟨hal-03662130⟩
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