Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne

Résumé

Le Mosfet SiC de puissance présente des propriétés singulières en régime de court-circuit (CC) telles qu’un courant de fuite de grille important, un fort courant de saturation et deux modes de défaut complémentaires dont l'un est sécurisant (fail-to-open) sous certaines conditions. Ce papier présente un modèle électro-thermique compact original représentatif des singularités du composant. Une analyse technologique poussée de la défaillance a permis de modéliser et de comprendre ses modes de défaut. Enfin, un nouveau circuit de protection contre les court-circuits utilisant le courant de fuite de grille comme indicateur observable est présenté et validé.
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SGE_2021_Mosfet_SiC_V6_RevSL_FINAL_HAL.pdf (1.92 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03286429 , version 1 (14-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03286429 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau, Stéphane Lefebvre. Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne. 4ème Symposium de Génie Électrique (SGE 2021), Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-03286429⟩
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