ICP-CVD μ-Si Layers Optimization for Strain Gauges on Flexible Substrates - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Sensors and Actuators A: Physical Année : 2020

ICP-CVD μ-Si Layers Optimization for Strain Gauges on Flexible Substrates

Résumé

Low Temperature μ-Si layers were performed in a Corial Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICP-CVD) system. Doped μ-Si layers have been investigated in terms of resistivity, contact resistance, crystalline fraction and Gauge Factor. Some parameters have been identified to increase the Gauge Factor (GF) or the crystalline fraction (Fc). Strain gauges performed on 25 μm thick polyimide (PI) film have been tested to show the interest of the ICP-CVD μ-Si technology in the field of pressure sensors.
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Dates et versions

hal-02960162 , version 1 (16-11-2020)
hal-02960162 , version 2 (18-01-2021)

Identifiants

Citer

F. Garcia Castro, O. de Sagazan, N Coulon, C. Simon, F. Le Bihan. ICP-CVD μ-Si Layers Optimization for Strain Gauges on Flexible Substrates. Sensors and Actuators A: Physical , 2020, 315, pp.112261. ⟨10.1016/j.sna.2020.112261⟩. ⟨hal-02960162v2⟩
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