TiN layer epitaxial growth deposited at different radiofrequency powers onto the monocrystalline substrate MgO - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02404340 , version 1 (11-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02404340 , version 1

Citer

Bachir Messaid, Claire Le Paven, Razika Talaighil, Ratiba Benzerga, Florent Marlec, et al.. TiN layer epitaxial growth deposited at different radiofrequency powers onto the monocrystalline substrate MgO. ISMSD2019 : 4th International Symposium on Materials and Sustainable Development, Nov 2019, Boumerdes, Algeria. ⟨hal-02404340⟩
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