Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C) - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C)

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02401810 , version 1 (10-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02401810 , version 1

Citer

K. Yang, N. Coulon, Anne-Claire Salaün, Laurent Pichon. Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C). Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs, Nov 2019, Lyon, France. ⟨hal-02401810⟩
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