Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2014
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02385347
Soumis le : jeudi 28 novembre 2019-17:25:30
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Citer
A. de Luca, A. Portavoce, M. Texier, C. Grosjean, N. Burle, et al.. Tungsten diffusion in silicon. Journal of Applied Physics, 2014, 115 (1), pp.013501. ⟨10.1063/1.4859455⟩. ⟨hal-02385347⟩
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