Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices. - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02189095 , version 1 (19-07-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02189095 , version 1

Citer

Charles Cornet, Ida Lucci, Lipin Chen, Laurent Pedesseau, Rozenn Bernard, et al.. Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices.. Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2019), Jul 2019, Clermont-Ferrand, France. ⟨hal-02189095⟩
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