Study of the 3D growth mode of III-V on Si by DFT - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Study of the 3D growth mode of III-V on Si by DFT

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01708149 , version 1 (13-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01708149 , version 1

Citer

Ida Lucci, Simon Charbonnier, Yanping Wang, Tony Rohel, Rozenn Bernard, et al.. Study of the 3D growth mode of III-V on Si by DFT. Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2017), Oct 2017, Paris, France. ⟨hal-01708149⟩
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