Experimental and comparative study of gamma radiation effects on Si-IGBT and SiC-JFET - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2015
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Dates et versions

hal-01700447 , version 1 (04-02-2018)

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Citer

B. Tala-Ighil, J.-L. Trolet, H. Gualous, P. Mary, S. Lefebvre. Experimental and comparative study of gamma radiation effects on Si-IGBT and SiC-JFET. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1512 - 1516. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.136⟩. ⟨hal-01700447⟩
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