State creation under gate bias stress in polysilicon TFT’s studied from the temperature – transfer characteristics behavior - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01649448 , version 1 (27-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01649448 , version 1

Citer

H. Toutah, Jean-François Llibre, Boubekeur Tala-Ighil, Bertrand Boudart, Tayeb Mohammed-Brahim. State creation under gate bias stress in polysilicon TFT’s studied from the temperature – transfer characteristics behavior. European Materials Research Society, 2002, Strasbourg, France. ⟨hal-01649448⟩
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