The Oxide TFT with Solution Based Gate Insulator, - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01521641 , version 1 (12-05-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01521641 , version 1

Citer

M.T. Hong, S.M. Shin, J.M. Lee, Emmanuel Jacques, Tayeb Mohammed-Brahim, et al.. The Oxide TFT with Solution Based Gate Insulator, . ECS Meeting , 2016, JEJU, South Korea. ⟨hal-01521641⟩
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