Croissance et caractérisation de nanofils Si et Ge synthétisés par la méthode VLS - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01153182 , version 1 (19-05-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01153182 , version 1

Citer

Israel M., Alain Moréac, Thomas Delhaye, Lannic J. Le, Rogel R., et al.. Croissance et caractérisation de nanofils Si et Ge synthétisés par la méthode VLS. Journées Narionales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2013, Grenoble, Jun 2013, Grenoble, France. ⟨hal-01153182⟩
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