Etude par TEM et DRX des défauts cristallins dans des couches épitaxiées par MBE de GaP sur Silicium (001) - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Etude par TEM et DRX des défauts cristallins dans des couches épitaxiées par MBE de GaP sur Silicium (001)

Nathalie Boudet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 937286
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918748 , version 1 (14-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918748 , version 1

Citer

Julien Stodolna, François Demangeot, Anne Ponchet, Nicolas Bertru, Olivier Durand, et al.. Etude par TEM et DRX des défauts cristallins dans des couches épitaxiées par MBE de GaP sur Silicium (001). Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2013), Jul 2013, Aix-en-Provence, France. ⟨hal-00918748⟩
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