Electrical properties of high value doped polysilicon-based resistors - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid State Phenomena Année : 2003
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00912983 , version 1 (03-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00912983 , version 1

Citer

Erwann Carvou, France Le Bihan, Anne-Claire Salaün, Régis Rogel, Olivier Bonnaud, et al.. Electrical properties of high value doped polysilicon-based resistors. Solid State Phenomena, 2003, 93, pp.435-440. ⟨hal-00912983⟩
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