Growth of III-V GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Growth of III-V GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00788460 , version 1 (14-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00788460 , version 1

Citer

Thomas Quinci, Jithesh Kuyyalil, Thanh Tra Nguyen, Charles Cornet, Antoine Létoublon, et al.. Growth of III-V GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster. Journées nationales du photovoltaïque 2012, 2012, Chantilly, France. ⟨hal-00788460⟩
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