Article Dans Une Revue
ECS Transactions
Année : 2012
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00772001
Soumis le : mercredi 9 janvier 2013-17:11:55
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00772001 , version 1
Citer
Peng Zhang, Emmanuel Jacques, Regis Rogel, Olivier Bonnaud. Improvement of a Vertical Thin Film Transistor Based on Low-Temperature Polycrystalline Silicon Technology by Introduction of an Oxide Barrier between Drain and Source Layers. ECS Transactions, 2012, 49 (1), pp.491-496. ⟨hal-00772001⟩
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