Homogeneity of oxynitride LaTiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub> thin film deposition by RF magnetron sputtering - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Homogeneity of oxynitride LaTiOxNy thin film deposition by RF magnetron sputtering

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00710095 , version 1 (20-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00710095 , version 1

Citer

Yu Lu, Claire Le Paven-Thivet, Laurent Le Gendre, Ratiba Benzerga, Viet Hung Nguyen, et al.. Homogeneity of oxynitride LaTiOxNy thin film deposition by RF magnetron sputtering. 7th International Symposium on Nitrides - ISNT 2012, Jun 2012, St-Malo, France. ⟨hal-00710095⟩
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