MBE growth of (GaAsPN/GaPN)/GaP quantum wells light emitting diode - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

MBE growth of (GaAsPN/GaPN)/GaP quantum wells light emitting diode

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00654313 , version 1 (21-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00654313 , version 1

Citer

Alexandre Bondi, Charles Cornet, Weiming Guo, Olivier Dehaese, Nicolas Chevalier, et al.. MBE growth of (GaAsPN/GaPN)/GaP quantum wells light emitting diode. euro-MBE 2011, Mar 2011, Alpe d'Huez, France. ⟨hal-00654313⟩
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