Perovskite oxynitride LaTiOxNy thin films: dielectric characterization in low and high frequencies - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Perovskite oxynitride LaTiOxNy thin films: dielectric characterization in low and high frequencies

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00567544 , version 1 (21-02-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00567544 , version 1

Citer

Yu Lu, Ahmed Ziani, Claire Le Paven-Thivet, Ratiba Benzerga, Laurent Le Gendre, et al.. Perovskite oxynitride LaTiOxNy thin films: dielectric characterization in low and high frequencies. 17 International Vacuum Congress, Aug 2010, Pékin, China. ⟨hal-00567544⟩
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