InAs quantum dots grown on GaAsSb buffer layer lattice matched on InP - Université de Rennes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

InAs quantum dots grown on GaAsSb buffer layer lattice matched on InP

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486709 , version 1 (26-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486709 , version 1

Citer

Wei Lu, Antoine Létoublon, Nicolas Bertru, Hervé Folliot, Alain Le Corre, et al.. InAs quantum dots grown on GaAsSb buffer layer lattice matched on InP. 2nd SANDiE Workshop on Characterization and modelling of self-assembled semiconductor nanostructures, Dec 2007, Paris, France. pp.W. Lu. ⟨hal-00486709⟩
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